GDDR3 nhấp nháy tín hiệu không giống như DDR2 SDRAM là theo một hướng và kết thúc đơn (RDQS, WDQS). Điều này có nghĩa là đọc và viết nhấp nháy dữ liệu riêng biệt cho phép một nhanh hơn đọc cho viết tỷ lệ hơn DDR2.
GDDR3 có một khả năng thiết lập lại phần cứng cho phép nó để tuôn ra tất cả các dữ liệu từ bộ nhớ và sau đó bắt đầu lại.
Yêu cầu điện áp thấp hơn dẫn đến yêu cầu công suất thấp hơn, và sản lượng nhiệt thấp hơn.
Tần số đồng hồ cao hơn, do giảm sản lượng nhiệt, điều này là lợi cho tăng thông lượng và thời gian chính xác hơn.
